氧化鋅將成為創(chuàng)造高性能LED的突破點
2008年12月19日 10:31 5906次瀏覽 來源： 中國有色網(wǎng) 分類： 鉛鋅資訊
據(jù)國外媒體報道，德國科學(xué)家采用氫進行摻雜的方法制造出更高性能的LED和其他半導(dǎo)體。他們稱，在使用氧化鋅制造半導(dǎo)體時，合理控制氫原子將成為一個關(guān)鍵。半導(dǎo)體摻雜是激活半導(dǎo)體的必要條件，它將外來的原子摻進晶體里，而該原子可以釋放（n型摻雜）或吸收一個電子（p型摻雜）。這樣就在固體內(nèi)部創(chuàng)造一個空穴。
科學(xué)家已經(jīng)在努力將氫和p型摻雜結(jié)合，但是氫原子更加容易進行n型摻雜，但是這會阻礙半導(dǎo)體工藝。而P型摻雜才能制造LED和半導(dǎo)體。而氧化鋅到處都是——每年全球的產(chǎn)量為數(shù)千噸。
責(zé)任編輯：安會珍
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