青島科大在金屬鎂電池負(fù)極改性方面取得新進(jìn)展
2021年06月28日 13:56 11270次瀏覽 來(lái)源: 尚鎂網(wǎng) 分類(lèi): 鎂資訊
可充電金屬鎂電池是以金屬鎂為負(fù)極的一類(lèi)廉價(jià)、高安全性且具有高能量密度等潛在優(yōu)勢(shì)的新型電化學(xué)儲(chǔ)能技術(shù),其有望成為解決可再生能源利用效率低、電能源使用安全性差等問(wèn)題重要儲(chǔ)能技術(shù)之一。然而,當(dāng)前金屬鎂負(fù)極在較高電流密度、較高面容量以及不同電解液中存在不均勻電沉積甚至枝晶生長(zhǎng)等行為。此外,金屬鎂負(fù)極在多數(shù)電解液體系中存在較大的沉積/溶解過(guò)電勢(shì)(通常大于100 mV)和較差的沉積/溶解庫(kù)倫效率,上述問(wèn)題直接影響著可充電金屬鎂電池的安全運(yùn)行、可逆容量以及循環(huán)壽命等電化學(xué)性能。
青島科技大學(xué)材料學(xué)院張忠華副教授、李桂村教授和中科院青能所崔光磊研究員等人在金屬鎂電池負(fù)極電沉積形貌調(diào)控方面提出了基于勻化電場(chǎng)、幾何限域以及化學(xué)吸附等協(xié)同耦合的改性策略,該科研成果以“Uniform magnesium electrodeposition via synergistic coupling of current homogenization, geometric confinement and chemisorption effect”為題發(fā)表在材料領(lǐng)域國(guó)際著名期刊Advanced Materials(影響因子27.398)上。該工作青島科技大學(xué)為第一單位,第一作者為我校材料學(xué)院2018級(jí)碩士研究生宋子豪。
本工作研究了在宏觀和微觀尺度下金屬負(fù)極均勻生長(zhǎng)的臨界條件:
1)電場(chǎng)效應(yīng):以Haring-Blum電池模型為基礎(chǔ),采用近陰極和遠(yuǎn)陰極表面電流密度之差來(lái)描述電流密度分布,即由電極表面的尺寸差所引起的電場(chǎng)效應(yīng)。根據(jù)半定量公式,當(dāng)陰極表面尖端與平面到陽(yáng)極距離之比小于0.37時(shí),金屬的電沉積過(guò)程存在明顯的尺寸依賴(lài)效應(yīng),強(qiáng)電場(chǎng)效應(yīng)(尖端上的電流密度比陰極表面的電流密度高20%)導(dǎo)致金屬不均勻電沉積行為;當(dāng)陰極表面尖端與平面到陽(yáng)極距離之比大于0.93時(shí),陰極表面電流密度差小于2%,這表明電流密度在整個(gè)電極上呈均勻分布狀態(tài);而陰極表面尖端與平面到陽(yáng)極距離介于0.37和0.93之間時(shí),電場(chǎng)效應(yīng)對(duì)電解液的分散能力有一定的影響,電沉積層形貌呈現(xiàn)不確定性。
2)化學(xué)吸附效應(yīng):在原子尺度下,電沉積載體的化學(xué)狀態(tài)對(duì)金屬原子親和能力是控制金屬優(yōu)先形核和均勻形核的關(guān)鍵。由SP2雜化碳組成的平面六元環(huán)碳載體(石墨烯模型)表現(xiàn)出憎鎂性,這不僅導(dǎo)致較高的成核勢(shì)壘,也是造成不均勻的鎂沉積主要因素之一。在碳基載體上引入含氮、氧等雜原子的缺陷位點(diǎn)可大大提高其對(duì)Mg原子的親和力,從而大大降低了其電沉積形核和生長(zhǎng)能壘,此外,豐富的親鎂中心可以引導(dǎo)均勻的電沉積形核和生長(zhǎng)過(guò)程,因此電極呈現(xiàn)出較低的沉積/溶解過(guò)電勢(shì)。
3)幾何限域效應(yīng):在典型的異相形核過(guò)程中,平面電沉積載體對(duì)晶核的促進(jìn)作用取決于載體與鎂晶胚之間的潤(rùn)濕角θ;而對(duì)于非平面電沉積載體,它們的幾何形狀也影響金屬鎂沉積的優(yōu)先形核位點(diǎn),由異相形核臨界形核功計(jì)算公式
圖片可以看出,形狀因子f(θ)確定了臨界形核功的大小,及形核勢(shì)壘的大小。由于金屬在凹面襯底上形核時(shí)所需要的臨界晶核體積要小于在平面襯底和凸面襯底上的臨界晶核體積,因此構(gòu)建凹面襯底可以促進(jìn)金屬的電沉積形核過(guò)程,可以大大降低金屬形核的過(guò)電勢(shì)。
綜合以上考慮,本工作設(shè)計(jì)并構(gòu)建了具有垂直排列結(jié)構(gòu)特點(diǎn)的氮/氧共摻雜碳納米纖維陣列一體化電極。通過(guò)第一性原理計(jì)算表明,該電極中豐富的氮/氧摻雜碳缺陷為金屬鎂的形核提供了豐富的位點(diǎn),有利于金屬鎂晶核的均勻分布;均勻排列的較短納米陣列結(jié)構(gòu)能夠起到勻化電極表面電流密度的作用,而且垂直排列的納米陣列結(jié)構(gòu)組成了大量具有“凹表面”特點(diǎn)的微通道,這些“凹表面”微通道可以通過(guò)幾何限域效應(yīng)促進(jìn)金屬鎂的優(yōu)先形核。因此,所制備的垂直排列結(jié)構(gòu)特點(diǎn)的氮/氧共摻雜碳納米纖維陣列一體化電極表現(xiàn)出一種獨(dú)特且高度可逆的“填坑式”沉積特點(diǎn),該電極即使在較高電流密度下也表現(xiàn)出較低的成核過(guò)電勢(shì)和高度可逆的Mg沉積/溶解循環(huán)性能。
本成果獲得了國(guó)家自然科學(xué)基金和山東省自然科學(xué)基金等項(xiàng)目的資助。
責(zé)任編輯:陳巖
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