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特殊材料取代硅造出半導(dǎo)體薄膜

為研制高性能柔性電子器件開(kāi)辟新途徑

2018年10月12日 8:25 10748次瀏覽 來(lái)源:   分類:

據(jù)美國(guó)《每日科學(xué)》網(wǎng)站9日?qǐng)?bào)道,美國(guó)麻省理工學(xué)院(MIT)工程師最近開(kāi)發(fā)出一種新技術(shù),他們用一批特殊材料取代硅,制造出了超薄的半導(dǎo)體薄膜。新技術(shù)為科學(xué)家提供了一種制造柔性電子器件的低成本方案,且得到的電子器件的性能將優(yōu)于現(xiàn)有硅基設(shè)備,有望在未來(lái)的智慧城市中“大展拳腳”。

如今,絕大多數(shù)計(jì)算設(shè)備都由硅制成,硅是地球上含量第二豐富的元素,僅次于氧。硅以各種形式存在于巖石、粘土、沙礫和土壤中。雖然它并非地球上最佳的半導(dǎo)體材料,但卻是最容易獲取的。因此,在傳感器、太陽(yáng)能電池、計(jì)算機(jī)、智能手機(jī)等大多數(shù)電子設(shè)備中,硅都是占主導(dǎo)地位的材料。

近日,MIT的工程師們開(kāi)發(fā)出一種名為“遠(yuǎn)程外延”的新技術(shù),他們使用一批特殊的材料取代硅,制造出了超薄的半導(dǎo)體薄膜。研究人員稱,這種超薄膜有望通過(guò)相互層疊,制造出微型、柔性、多功能設(shè)備,例如可穿戴傳感器、柔性太陽(yáng)能電池等,甚至在未來(lái),“可以將手機(jī)貼到皮膚上”。

為演示新技術(shù),研究人員制造出了由砷化鎵、氮化鎵和氟化鋰材料組成的柔性薄膜。砷化鎵、氮化鎵和氟化鋰材料的性能比硅更好,但迄今為止,用這些材料制造功能性設(shè)備的成本非常高。

“我們已開(kāi)辟出一條新途徑,能用許多不同于硅的材料制造柔性電子設(shè)備。”機(jī)械工程、材料科學(xué)與工程系副教授吉哈丸·金說(shuō),“在智慧城市中,小型計(jì)算機(jī)將變得無(wú)處不在,但這需要由更好材料制成的低功耗、高靈敏度的計(jì)算與感知設(shè)備,新研究為獲得這些設(shè)備開(kāi)辟了道路。”

相關(guān)研究發(fā)表于8日出版的《自然·材料學(xué)》雜志,得到了美國(guó)國(guó)防部高級(jí)研究計(jì)劃局、能源部、空軍研究實(shí)驗(yàn)室、LG電子等的支持。(劉霞)

責(zé)任編輯:周大偉

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