國(guó)內(nèi)首款硅工藝全集成T/R芯片在張江誕生
2018年08月17日 8:20 7256次瀏覽 來(lái)源： 市科學(xué)技術(shù)委員會(huì) 分類(lèi)： 硅
近日，位于浦東張江的安其威微電子成功研制出國(guó)內(nèi)首款硅工藝全集成相控陣T/R芯片，向相控陣T/R組件的單芯片化跨出了里程碑的一步。目前這款芯片通過(guò)了高低溫性能指標(biāo)和質(zhì)量檢驗(yàn)，現(xiàn)在正交予用戶做系統(tǒng)測(cè)試。
這款安其威微電子研發(fā)的全新芯片，在單顆芯片上集成了多個(gè)高性能射頻模塊，實(shí)現(xiàn)了傳統(tǒng)T/R組件模塊的全部功能。此外，其功率輸出更加穩(wěn)定，全新的硅工藝也使其抗燒毀能力顯著提高。
據(jù)了解，T/R組件是有源陣列天線的基本組成單元，在綜合射頻系統(tǒng)、波通信和相控陣?yán)走_(dá)領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。利用成本低廉的硅工藝生產(chǎn)T/R芯片，是實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品小型化和低成本的必要途徑，也是現(xiàn)代T/R組件的重要發(fā)展方向。
據(jù)悉，該公司芯片研發(fā)團(tuán)隊(duì)正在同步研發(fā)X和Ku波段的全集成T/R芯片，該技術(shù)將來(lái)可以應(yīng)用到5G毫米波通信，相控陣衛(wèi)星通信等多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域。
責(zé)任編輯：周大偉
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