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鎂課堂:(九十)話說鎂合金過飽和固溶體的分解(二)

2017年07月05日 9:32 7783次瀏覽 來源:   分類: 鎂資訊   作者:

  含3%~8%Zn的Mg-Zn系合金在固溶處理后進(jìn)行時(shí)效處理時(shí)其硬化曲線如圖所示,強(qiáng)化效果不十分明顯。Mg-Zn系合金時(shí)效時(shí)固溶體的脫溶過程比Mg-Al系合金的復(fù)雜,有一個(gè)預(yù)脫溶過程,即在100℃以下會(huì)形成GP區(qū),而在100℃時(shí)效時(shí)會(huì)形成β'相,MgZn'相。
  β'相呈桿狀,易在位錯(cuò)及空位團(tuán)上形核長大,因此時(shí)效前的冷變形可加速其形成與長大,采用高的固溶處理溫度也有利于它的產(chǎn)生(形核)。β'相很穩(wěn)定,只有長時(shí)間時(shí)效才會(huì)變成平衡相MgZn2。近期的研究指出,Mg-Zn系合金脫溶時(shí)形成了β'和β'2兩個(gè)過渡相,因此,它們的整個(gè)脫溶過程為:
  過飽和固溶體→GP區(qū)→β'1→β'2→MgZn2平衡相
  β'1相為密集六方結(jié)構(gòu),a=0.52nm,C=0.85nm,桿狀,與基體α(Mg)共格。β'2相的晶體結(jié)構(gòu)也是密集六方,a=0.52nm,C=0.848nm,盤狀,與基體半共格。脫溶產(chǎn)物主要為β'1相及β'2相,向合金中加入Cu不會(huì)改變合金的脫溶進(jìn)程和時(shí)效硬化機(jī)制。
  Mg-RE系合金
  RE為稀土元素,含RE的鎂合金有相當(dāng)強(qiáng)的時(shí)效強(qiáng)化作用,并有很好的熱穩(wěn)定性與抗蠕變性能。按Mg-RE系合金的脫溶序列可將它們分為三類:Mg-Nd型、Mg-Y型及WE型合金。
  Mg-Nd(Ce)合金
  Mg-Nd型合金的脫溶過程為:GP區(qū)→β''→β'→β。GP區(qū)呈針狀,與基體完全共格;β''為亞穩(wěn)相,也與基體α(Mg)完全共格,a=0.64nm,C=0.52nm;β'相為密集六方晶格,a=0.52nm,C=1.30nm;β為平衡穩(wěn)定相,體心正方結(jié)構(gòu),a=1.03nm,C0.593nm。二元Mg-Ce及Mg-MM(富Ce混合稀土)合金的脫溶過程與Mg-Nd合金的相似。時(shí)效時(shí),析出β''相和β'相使合金獲得最大強(qiáng)化并使其具有良好的高溫性能。
  K-Mg-Y(Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Lu)系合金
  Mg-Y合金有明顯的時(shí)效強(qiáng)化作用,它的脫溶序列:過飽和固溶體→β''(bco)→β'(bco)→β(Mg24Y5,bcc)。bco表示底心斜方晶格,bcc表示面心立方晶格。β''相均勻地在晶內(nèi)析出,提高合金強(qiáng)度,而β'相易在晶界及位錯(cuò)處非均勻析出,然后迅速粗化,對合金強(qiáng)化沒有貢獻(xiàn);在較高溫度下,β''相轉(zhuǎn)變?yōu)榇执蟮?beta;'和/或β相,因而合金強(qiáng)度下降。
  WE系列合金
  通過對Mg-RE系合金的研究,成功地研制出以Mg-Y-Nd為基的WE系合金WE54及WE43。它們都有相當(dāng)大的時(shí)效強(qiáng)化效果。它們的析出過程為:
  過飽和固溶體→β''→β'→β1→β
  β1與Mg3X(X=Nd、Ce、La、Pr、Dy、Sm)為同晶型,即Mg-Nd合金脫溶序列中的β'相。延長時(shí)效時(shí)間,亞穩(wěn)β1相片會(huì)逐漸原位轉(zhuǎn)變成平衡β相。時(shí)效時(shí)間長達(dá)>240小時(shí)后,則主要析出相為β。β''及β'相有較好的高溫穩(wěn)定性,因此,Mg-Gd-Nd系合金是發(fā)展耐熱鎂合金值得關(guān)注的合金系之一。
  在Mg-Y-Nd系基礎(chǔ)上以Ag取代Y形成的Mg-Ag-RE-Zr系合金中,最廣泛應(yīng)用的Mg系合金是QE22A。含Ag<2%的合金的脫溶過程類似于Mg-RE系合金,而Ag含量>2%的合金則產(chǎn)生兩種獨(dú)立的脫溶過程,最終形成平衡相AgMg12Nd2,出現(xiàn)γ+β脫溶相時(shí),強(qiáng)化效果最大,抗蠕變力也最強(qiáng)。Mg-Ag合金的脫溶序列:
  過飽和固溶體→桿狀GP區(qū)→γ
  過飽和固溶體→橢圓狀GP區(qū)→β→AgMg12Nd2
  γ相為六方晶格,a=0.963nm,C=1.024nm,桿狀,與基體α(Mg)共格;β相也是六方結(jié)構(gòu),a=0.556nm,C=0.521nm,等軸形,與基體半共格。

責(zé)任編輯:淮金

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