1.1毫米8英寸硅基氮化鎵LED芯片問(wèn)世
2012年05月23日 10:1 6833次瀏覽 來(lái)源： 國(guó)半導(dǎo)體照明網(wǎng) 分類： 新技術(shù)
近日，普瑞光電公司與東芝公司宣布，兩家公司共同研發(fā)出了行業(yè)頂級(jí)8英寸硅基氮化鎵LED芯片。該芯片僅1.1毫米，在電壓低于3.1V電流350mA時(shí)發(fā)射功率達(dá) 614mW。
面對(duì)全球液晶面板和照明系統(tǒng)對(duì)LED芯片日益增長(zhǎng)的需求，普瑞光電與東芝公司將進(jìn)一步加快在這一領(lǐng)域的研發(fā)步伐。
“東芝公司和普瑞光電早已在這項(xiàng)技術(shù)研發(fā)方面展開合作，此次注資使兩家公司建立為更具有戰(zhàn)略性的合作伙伴關(guān)系，將推動(dòng)我們實(shí)現(xiàn)降低普通照明市場(chǎng)固態(tài)解決方案成本的共同目標(biāo)。” 普瑞光電公司首席執(zhí)行官Bill Watkins 表示。
“我們很高興通過(guò)我們與普瑞光電公司的研發(fā)合作獲得了前所未有的8英寸硅基氮化鎵LED性能。我們將繼續(xù)進(jìn)行更先進(jìn)的開發(fā)，并加速把我們的技術(shù)商品化。”東芝公司半導(dǎo)體和存儲(chǔ)產(chǎn)品公司副總裁兼執(zhí)行副總裁Makoto Hideshima表示。
責(zé)任編輯：安子
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