日本成功開發(fā)出嵌入鍺量子點的硅基LED
2010年05月31日 9:34 5403次瀏覽 來源： 綜合媒體 分類： 新技術
近日，日本東京都市大學綜合研究所硅納米科學研究中心成功開發(fā)出采用鍺（Ge）量子點的硅發(fā)光元件。
東京都市大學工學部教授、硅納米科學研究中心主任丸泉琢說明，該發(fā)光元件是在基于硅的pin構造元件的i層中，嵌入了直徑為數(shù)10~100nm的鍺微小粒子，這種粒子具有提高電子和空穴之間重組率的作用，是藉由分子束外延法在約400℃溫度下形成，因此元件的制造工藝與CMOS工藝具有兼容性。
該元件活性層部分的直徑約為3μm。已確認可在室溫下，通過電流注入可以發(fā)出波長為1.2μm左右的光線。發(fā)光的內(nèi)部量子效率為10-2。另外，如果增加注入電流、發(fā)光強度就會大幅提高的傾向。未來將在2～3年后開發(fā)出作為光開關工作的元件。
責任編輯：仁可
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