NEC電子開發(fā)出基于銅通孔的熔絲技術
2007年12月19日 0:0
4906次瀏覽
來源：
中國有色網(wǎng)
分類： 銅資訊
NEC電子開發(fā)出了采用銅通孔（用于連接銅布線）的熔絲技術（演講序號2.5）。NEC電子計劃將該技術導入07年年底開始量產(chǎn)的55nm工藝LSI中，促進制造成品率的提高。由于該項技術“可用于多種工藝”（NEC電子執(zhí)行董事福間雅夫），因此還計劃將其用于45～32nm工藝及其以后的工藝。
準備導入32nm以后的新材料
此次開發(fā)的采用銅通孔的技術，其特點是熔絲的可靠性較高。電氣特性方面，斷線前后銅通孔的電阻比高達107，即使加熱，熔絲也不會再次連接，將保持這一電阻比。原因是層間絕緣膜因銅通孔的熱膨脹而開裂，被勢壘金屬（BarrierMetal）包圍的區(qū)域內(nèi)的銅原子向開裂方向移動，這樣一來通孔區(qū)域就可產(chǎn)生較大的空孔。
熔絲技術使集成在芯片上的元件帶有冗長性，電氣分離在檢查階段被判定為劣質的元件，然后用正常元件替換。NEC電子06年開發(fā)出了基于銅布線的熔絲技術，現(xiàn)已導入量產(chǎn)。此次將熔絲替換為通孔，是因為設想以32nm以后工藝導入的帶有金屬蓋的銅布線，難以作為熔絲使用。金屬蓋是防止產(chǎn)生電子遷移的保護膜，有了這層保護膜，即使向銅布線輸入大電流，也不易產(chǎn)生電氣切斷。
現(xiàn)行的熔絲技術，大多使用MOSFET柵電極的超薄硅化物（Silicide）薄膜，不過在整個柵電極中使用金屬的32nm以后工藝，難以電氣切斷柵電極。NEC電子開發(fā)的基于銅布線和銅通孔的技術，將成為熔絲技術在32nm以后工藝中的替代方法。（日經(jīng)BP社報道）
責任編輯：LY
如需了解更多信息，請登錄中國有色網(wǎng)：m.gzjcgq.com了解更多信息。
中國有色網(wǎng)聲明：本網(wǎng)所有內(nèi)容的版權均屬于作者或頁面內(nèi)聲明的版權人。
凡注明文章來源為“中國有色金屬報”或 “中國有色網(wǎng)”的文章，均為中國有色網(wǎng)原創(chuàng)或者是合作機構授權同意發(fā)布的文章。
如需轉載，轉載方必須與中國有色網(wǎng)（ 郵件：cnmn@cnmn.com.cn 或 電話：010-63971479）聯(lián)系，簽署授權協(xié)議，取得轉載授權；
凡本網(wǎng)注明“來源：“XXX（非中國有色網(wǎng)或非中國有色金屬報）”的文章，均轉載自其它媒體，轉載目的在于傳遞更多信息，并不構成投資建議，僅供讀者參考。
若據(jù)本文章操作，所有后果讀者自負，中國有色網(wǎng)概不負任何責任。
